贺德克压力传感器常用术语分析

　　当金属丝受外力作用时，其长度和截面积都会发生变化，其电阻值即会发生改变，假如金属丝受外力作用而伸长时，其长度增加，而截面积减少，电阻值便会增大。当金属丝受外力作用而压缩时，长度减小而截面增加，电阻值则会减小。只要测出加在电阻两端的电压的变化，即可获得应变金属丝的应变情况。

　　压阻效应是用来描述材料在受到机械式应力下所产生的电阻变化。不同于压电效应，压阻效应只产生阻抗变化，并不会产生电荷。

　　贺德克压力传感器压力是工业生产中的重要参数之一，为了保证生产的正常运行，必须对压力进行监测和控制。以下是选择压力传感器时常用的术语：

　　1、标准压力：以大气压为标准表示的压力，如果大于大气压，则称为正压； 如果低于大气压，则称为负压。

　　2、绝对压力：以绝对真空表示的压力量。

　　3、相对压力：比较对象的压力量（标准压力）。

　　4、气压：指大气压。 标准大气压 (1atm) 相当于 760 毫米高度的水银柱的压力。

　　5、真空：指压力低于大气压的状态。 1 托 = 1/760 气压 (atm)。

　　6、检测压力范围：指传感器的适应压力范围。

　　7、能承受压力：当试验压力恢复时，可承受压力而不降低其性能。

　　8、往返精度：在恒定温度（23℃）下，当压力升高或降低时，将输出反转的压力值除以检测压力的满量程值得到工作点的压力波动值。

　　9、精确：在一定温度（23℃）下，当零压力和额定压力相加时，用满量程值去除偏离输出电流规定值（4mA、20mA）的值，单位以%表示 FS。

　　10、线性：模拟输出随检测压力线性变化，但偏离理想直线。 将此偏差表示为满量程值百分比的值称为线性度。

　　大多数金属材料与半导体材料都被发现具有压阻效应。其中半导体材料中的压阻效应远大于金属。由于硅是现今集成电路的主要原料，以硅制作而成的压阻性元件的应用就变得非常有意义。硅的电阻变化不单是来自与应力有关的几何形变，而且也来自材料本身与应力相关的电阻，这使得其程度因子大于金属数百倍之多。N型硅的电阻变化主要是由于其三个导带谷对的位移所造成不同迁移率的导带谷间的载子重新分布，进而使得电子在不同流动方向上的迁移率发生改变。其次是由于来自与导带谷形状的改变相关的等效质量(effective mass)的变化。在P型硅中，此现象变得更复杂，而且也导致等效质量改变及电洞转换。